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            2019年河北工业大学电子信号处理微电子器件考研复试大纲公示
        2019年河北工业大学电子信号处理微电子器件考研复试大纲公示
        责任编辑:教研助理  作者:上善若水…  来源:网络   更新时间:2019-4-1 13:01:51

        2019年河北工业大学电子信号处理微电子器件考研复试大纲公示
        2019年河北工业大学电子信号处理微电子器件考研复试大纲公示为大家整理发布。河北工业大学1V1考研复试指导、调剂指导请联系倩倩学姐QQ:2852358027  研哥微信:xdfxk2014  天津考研网QQ:394999530
        科目代码:F1901
        科目名称:微电子器件
        适用专业:电子科学与技术、电子与通信工程(专业学位)

        一、考试要求
        微电子器件适用于河北工业大学电子科学与技术、电子与通信工程(专业学位)研究生招生复试。主要考察pn结、BJT、MS和场效应晶体管基本观念及原理、物理模型以及数学描述,要求学生熟悉制造半导体器件过程中对应的器件结构,能够绘制晶体管结构和原理图,定量计算晶体管中参量,并分析中微电子器件参量的中的关键因素。

        二、考试形式
        试卷采用客观题型和主观题型相结合的形式,主要包括选择题、判断题、简答题、计算题、综合题等。
        三、考试内容
        第1部分 pn结
        第1.1部分 pn结静电特性
        pn结基本概念和结构、定量地描述pn结静电势。
        第1.2部分 pn结二极管的I-V特性
        分析pn结导通原理、理想pn结I-V特性的严格推导过程,考虑反向击穿、产生-复合电流实际pn结与理想差异,大电流影响pn结I-V特性和窄基区二极管。
        第1.3部分pn结二极管小信号导纳
        pn结小信号等效电路,pn结反向电容和电导、pn结正向偏置扩散导纳。
        第2部分BJT
        第2.1部分BJT基础知识
        BJT的表示符号和工作方式,BJT的静电特性定性分析BJT工作原理,衡量BJT的参数。
        第2.2部分BJT静电特性
        BJT直流特性,BJT理论与实验的偏差,现代BJT结构。
        第2.3部分BJT动态响应模型
        BJT小信号模型,BJT动态响应和实际BJT动态响应。
        第3部分MS接触和肖特基二极管及场效应晶体管
        第3.1部分MS接触、肖特基二极管
        金属半导体(MS)接触,肖特基二极管工作原理。
        第3.2部分场效应晶体管
        场效应晶体管结构、J-FET工作原理,考虑源漏电阻J-FET的输出和交流响应定量计算J-FET特性,MESFET工作原理和短沟道效应。
        四、参考书目
        [1] [美]Robert F.Pierret著,黄如,王漪,王金延,金海岩译. 半导体器件基础. 北京:电子工业出版社,2010年

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